第243章 幫高能物理研究所

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這個會議是關於自由電子鐳射裝置的建設部署會，在年底前要求完工。

自由電子鐳射裝置是目前高能物理研究所的重點研究專案，絕大多數裝置都已經完成製造，不過在一些小細節還沒有解決，比如精密的位移動作用的軸承。

而這些軸承目前進口的過程太漫長，為了按時完成實驗，他們想到了在國內尋找替代方案。

從需求的四十三個大大小小的軸承來看，大都需要定製，而且精度要求還比較高，目前國內的確沒有替代方案，如果從外國定製進口，最終到貨，估計也是明年的事情了。

李樹在看完技術資料，聽完要求之後，平靜道：“京鋼軸承方面應該能完成，設計圖我待會兒會拿出來，今天就開始定製生產，下週出貨。”

會議上的人紛紛驚呼不可思議，袁哲才打斷道：“還真別議論，咱們李總還真有這個能力，他的數控機床技術是全國第一，我相信能夠達到要求。”

得虧袁哲才對李樹知根知底，之前研究光刻機專案的時候跟著部委考察團來過振藍，他才有信心對李樹說這樣力挺的話。

“李總，早就準備想著找你去解決軸承的事情了，不過咱們研發組大多數人一直迷信要進口外國軸承，我也不好多說什麼，你今天一來，給我吃了顆定心丸。”袁哲才拍著李樹肩膀道。

“沒有啦，咱們都是互惠互助的啦，我今天也是有事相求。”

李樹隨後道出了深紫外光光刻機光源測試與改良的事情，同時李樹還提出和高能物理研究所聯合研發下一代極紫外光光刻機光源的設想。

李樹隨即開始介紹EUV光刻機光源的指標

目前深紫外光EUV光刻機的光源需要足夠大的功率來生成EUV光需要採用鐳射等離子體的方式，原理是用準分子鐳射轟擊靶材產生EUV。

對準分子鐳射的要求很高，如頻寬、輸出功率、穩定性、維護難易度、波長、相對波長穩定性、脈衝與脈衝之間的能量穩定性、成本、安全性等等，最關鍵的是如何在高重複頻率下保持窄頻寬和無碎屑。

所用靶材對於EUV光源也非常重要，要能承受不間斷的全天候的準分子鐳射器發出超高頻脈衝轟擊，還要求極小的碎屑尺寸和超低成本。

李樹的設想裡，將採用液滴靶技術，液體錫從上向下滴落過程中會形成錫珠，用鐳射轟擊錫珠讓其化為等離子態，產生EUV。

這些從資料庫裡檢索出來的未來EUV光刻機光源技術在九十年代的人聽起來，很玄乎，甚至有些科幻，從設計上來說，這個EUV光刻機的光源部件，零件將超過十萬個，如果達到2022年的水平，這個部件的零件將超過四十萬個，是一個駭人的指標。

正當李樹說得起勁的時候，袁哲才打斷道：“得，李總，今天用嘴聊的我都快聽不懂了，回頭你形成書面材料，我讓咱們研究所立項，你派人來共同研發。”

袁哲才隨後帶著李樹去了自由電子鐳射裝置，讓李樹看看所需軸承在裝置上的具體位置。

李樹拿著研究所提供的各種測量裝置在高大上的裝置上一番測量，資料已經瞭然於胸。

正當李樹要離開的時候，袁哲才叫住李樹道：“嘿，李總，碰巧他們開機測試，要不要看看這國內首創的實驗，平日我倆討論再多，也不如看一次實驗。”

經過袁哲才介紹，李樹瞭解到電子束經加速管加速到30meV左右注入由週期永磁鐵構成的波盪器。

在波盪中，在諧振腔中產生諧振，後繼的電子束與先前電子束產生的光脈衝不斷地發生能量轉換，使光訊號獲得最大的增益直至飽和，最終透過反射鏡的耦合輸出到光學測量臺。

這一過程看似簡單，不過所需的裝置功率很大