第114章 撿張珊這個漏

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“材料研究室現在主要以晶圓為研究物件，以後在整個晶片製造生產中，材料方面的進步進化，都不可能停下腳步，而晶片製造中所需要用到的材料是很多的。這些會逐步都歸納到材料研究室來。”

“這是部門設計與規劃的事情，這就不用我操心了吧？”

“現在不是帶你參觀嘛，後面的研究部門就都跟光刻機相關了，也就是說，目前我們的研究分兩大塊，一塊研究晶圓生產，一塊研究光刻機技術。”

整個光刻機進化的歷史就是和一個公式裡的三個因素有關，這三個因素決定了光刻機的解析度，解析度，也就是光刻可以達到的最小尺寸。

當然，這個跟晶圓生產裡，單晶矽柱或者說晶圓片不一樣，晶圓柱或者晶圓片，那是越大越好，可解析度卻是越小越好。

影響解析度的第一個因素就是光的波長，波長越小成像越精細，提升成像方面的最有效方法就是使用波長更小的光源。

所以安德科技的第二個研究部門就是鐳射光合器部，目前世界最先進的是準分子鐳射器，波長更低的深紫外光準分子鐳射，然後這個波長的數字已經被降到193奈米，由氟化亞鐳射器提供，人們在193奈米徘徊了很長時間。

“我們的鐳射光合器部門，主要就是研究這深紫外準分子鐳射，希望能在前人的基礎上追趕當今世界的腳步，然後再努力超越。”

兩人在鐳射光合器部門口輕聲聊著，強哥看著裡面忙忙碌碌的工作人員，心中豪氣萬千，終有一天，我們的部門，我們的企業，我們的國家，一定會製造出世界一流光刻機，最終晶片製造成為經濟發展的強大引擎。

來到第三個部門，只見門牌上“折射材料與技術研究部”。

這就是基於解析度第二因素的研究部門了。

解析度第二因素就是折射率。

這個因素又跟晶圓一樣，越大越好，也就是說，折射率越大，解析度就越小，解析度越小，當然光刻機的能力就越大羅。

折射率不是簡單用透鏡組裝一下就能解決，因為光在在折射的時候還會出現很多問題，最終成像會出現相差。啥是相差呢？簡單來說就是透鏡的成像能力不理想，理想很骨感，現實卻很豐滿，這個理想中的成像效果和透鏡實際能夠實現的效果之間的差距就是相差造成相差的原因有很多，簡單來說就是平行光線透過球面透鏡後不能完全聚焦於一點。

而這就是“折射材料與技術研究部”需要研究和解決的問題。不管你用三個還是五個透鏡，也不管你怎麼組裝，總之無限度降低折射率，那就對了。

第三個因素是工藝因子，說白了就是晶片製作過程中從工藝製造、工藝流程層面來提升解析度、用什麼樣的方法來提升解析度的問題。簡單來說目前世界上已經有了的五種工藝技術:

一，多重曝光，多重曝光是最容易理解的一種技術，簡單來說就是一次不行就多曝光幾次，透過曝光的次數，曝光的程度，來控制曝光後達到的效果，這就是多重曝光的工藝技術研究。

目前有很多介紹多重曝光的科普資料，所以這塊的研究相對來說會順利一些。

二，側牆轉移，基本思路是在光刻搞不定的情況下，其他方面的就各種技術一起上，把光刻、薄膜沉積和刻蝕等技術整到一起來用！也就是先使用光刻技術刻上一個胚，在這個胚上用薄膜沉積技術和刻蝕來加強精度。

三，移項掩膜，當兩束光碰到一起的時候，有些光會得到加強，而有的光會相互削弱，這跟光的波長和光的性質有關。而移項掩膜就是利用技術對這個光的性質和光現象來加以利用，在光透過的模板上加入移項器，讓相鄰的兩個小孔之間透過來的光相位正好相反，使得光斑和光斑之間的間隙就變得