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“我們全球半導體集團研究將光刻膠通常分為兩種，”
“即正膠和負膠”
“正性光刻膠也就是所謂的正膠”
“英文名字我們叫做他positive photoresist”
“他是曝光部分溶於顯影液”
“而未曝光部分不溶於顯影液”
“這樣一來顯影后襯底上剩餘的光刻膠圖形與掩膜板上的目標圖形相同”
“負性光刻膠我們叫做負膠”
“英文名字我們起名叫做negative photoresist”
“他在光刻機的生產中主要作用就是曝光部分不溶於顯影液”
“而未曝光部分溶於顯影液”
“顯影后襯底上剩餘的光刻膠圖形與掩膜板上的目標圖形為互補關係”
“因此我們研究發現對於正膠來說”
“光刻完成後”
“需要對沒有光刻膠保護的基底部分進行刻蝕，最後洗去剩餘光刻膠”
“這樣就可以實現了半導體器件在基底表面的一步構建過程”
“張成先生沒想到你們全球半導體集團在光刻機上有著這麼深的研究”
“在今天的半導體行業，你們走在最前面了”
“你們很了不起啊”
“麥斯先生客氣了”
“其實光刻機這一塊我們也是有著很多分類的”
“分類?”
“是的麥斯先生”
“張成先生我沒有想到你們在這方面也是有著這樣多個型別的研究的”
“張成先生你方便給我們介紹一下麼？”
“可以的，麥斯先生你是客人，這個要求我們絕對可以滿足你的”
“謝謝張成先生的心意”
“不客氣麥斯先生”
“我們全球半導體集團將光刻機根據用途的不同”
“我們分為用於生產晶片、用於封裝和用於LEd製造等”
“我們根據光源的不同”
“可分為紫外光源也就是UV”
“深紫外光源也就是dUV”
“極紫外光源也就是EUV”
“光源的波長影響光刻機的工藝”
“像極紫外光刻機”
“我們選取了新的方案來進一步提供更短波長的光源”
“全球半導體集團目前主要採用的辦法是將準分子鐳射照射在錫滴液發生器上，激發出13.5nm的光子，作為光刻機光源”
“在光刻機的操作上我們根據操作方式的不同”
“我們再次將光刻機分為”
“接觸式光刻”
“直寫式光刻”
“投影式光刻”
“接觸式光刻接觸式光刻掩膜板直接與光刻膠層接觸”
“這種光刻機所曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當，裝置簡單”
“我們還根據施加力量的方式，接觸式不同又將光刻機進行了分類”
“軟接觸”
“硬接觸”
“真空接觸”
“其中軟接觸就是把基片透過托盤吸附住”
“就是類似於勻膠機的基片放置方式”
“掩膜蓋在基片上面”
“而硬接觸就是將基片透過一個氣壓我們採用的是氮氣”
“往上頂”
“知道氮氣體與掩膜板接觸”
“這裡的真空接觸就是在掩膜板和基片中間抽氣，使它們更加好地貼合”
“這裡面他的特點就是”
“光刻膠汙染掩膜板，掩膜板
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