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(half-pitch)的尺寸，是衡量光刻機效能最重要的引數之一。其中，是一個常數，在不同的光刻方案中不太一致，λ就是輸入光源的波長， NA是光刻機光學系統的數值孔徑。對於常數，目前荷蘭ASmL公司的dUV光刻機最高是做到了0.25附近，而EUV大概還是在0.35附近。輸入光源的波長越小，實際可以光刻的工藝也就越小。對於數值孔徑NA來說，對於非浸潤式dUV方案這個數值的上限一般是1.0，浸潤式dUV方案則是1.35附近。相比於非浸潤式，浸潤式光刻機在光刻時額外使用了液體來進行折射，一般所使用的都是純水，折射率約為1.33，這也是浸潤式的NA要大一些的原因。套刻精度套刻精度（overlay accuracy）: 掩膜板mask）和基底（wafer）圖形的對準精度。基本含義是指前後兩道光刻工序之間彼此圖形的對準精度，如果對準的偏差過大，就會直接影響產品的良率。曝光寬容度曝光寬容度（Exposure Latitude）:曝光寬容度也被稱為曝光裕度，是工藝視窗的重要引數之一，光學曝光系統可以形成符合設計版圖要求的曝光能量範圍，通常使用曝光結果檢測的cd值的變化量在±10%範圍內的曝光能量選擇範圍來定義。如果光刻膠在偏離最佳的曝光劑量的情況下，曝光圖形的線寬變化比較小，說明該光刻膠有較大的曝光寬容度。通常曝光寬容度越大，顯影寬容度也越大。曝光容忍度和投影影象對比度緊密聯絡。投影影象的特徵尺寸若具有較差的影象對比度，將會對劑量變化過於敏感。社會影
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